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PMZB600UNELYL
MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
Numéro d'article
PMZB600UNELYL
Fabricant/Marque
Série
TrenchMOS™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
3-XFDFN
Package d'appareil du fournisseur
3-DFN1006B (0.6x1)
Dissipation de puissance (maximum)
360mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
600mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
21.3pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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