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PMZB600UNELYL

MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B

Numéro d'article

PMZB600UNELYL

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

TrenchMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

3-XFDFN

Package d'appareil du fournisseur

3-DFN1006B (0.6x1)

Dissipation de puissance (maximum)

360mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

600mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

620 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

21.3pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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