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PMZ130UNEYL

PMZ130UNEYL

MOSFET N-CH 20V SOT883
Numéro d'article
PMZ130UNEYL
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SC-101, SOT-883
Package d'appareil du fournisseur
DFN1006-3
Dissipation de puissance (maximum)
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.8A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
93pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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Coordonnées
Mots-clés de PMZ130UNEYL
PMZ130UNEYL Composants électroniques
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