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PMN50UPE,115

PMN50UPE,115

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Numéro d'article
PMN50UPE,115
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SC-74, SOT-457
Package d'appareil du fournisseur
6-TSOP
Dissipation de puissance (maximum)
510mW (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.6A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
66 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15.7nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
24pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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Coordonnées
Mots-clés de PMN50UPE,115
PMN50UPE,115 Composants électroniques
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