Acheter Nexperia USA Inc. PML260SN,118 MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON

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PML260SN,118

MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON

Numéro d'article

PML260SN,118

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

TrenchMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-VDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

8-DFN3333 (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

50W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8.8A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

294 mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13.3nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

657pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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