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PHN210T,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Numéro d'article
PHN210T,118
Fabricant/Marque
Série
TrenchMOS™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max
2W
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Type FET
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
-
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 20V
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