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PHK04P02T,518

MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC

Numéro d'article

PHK04P02T,518

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Dissipation de puissance (maximum)

5W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

16V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.66A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

600mV @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

528pF @ 12.8V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Vgs (Max)

±8V

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