Acheter Nexperia USA Inc. BSP250,115 MOSFET P-CH 30V 3A SOT223

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BSP250,115

MOSFET P-CH 30V 3A SOT223

Numéro d'article

BSP250,115

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur

SOT-223

Dissipation de puissance (maximum)

1.65W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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