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BSP220,115

MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223

Numéro d'article

BSP220,115

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur

SOT-223

Dissipation de puissance (maximum)

1.5W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

225mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

12 Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

90pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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