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BSP122,115

MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223

Numéro d'article

BSP122,115

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur

SOT-223

Dissipation de puissance (maximum)

1.5W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

550mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 750mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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