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BSP110,115
MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Numéro d'article
BSP110,115
Fabricant/Marque
Série
TrenchMOS™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Package d'appareil du fournisseur
SOT-223
Dissipation de puissance (maximum)
6.25W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
520mA (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
40pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (Max)
±20V
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