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BSH202,215

MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23

Numéro d'article

BSH202,215

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-236AB (SOT23)

Dissipation de puissance (maximum)

417mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

520mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 280mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.9V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 24V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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