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2N7002PW,115

2N7002PW,115

MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT323
Numéro d'article
2N7002PW,115
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SC-70, SOT-323
Package d'appareil du fournisseur
SOT-323-3
Dissipation de puissance (maximum)
260mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
310mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de 2N7002PW,115
2N7002PW,115 Composants électroniques
2N7002PW,115 Ventes
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