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APTM120H29FG

MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Numéro d'article

APTM120H29FG

Fabricant/Marque

Microsemi Corporation

Série

POWER MOS 7®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Colis/Caisse

SP6

Puissance - Max

780W

Package d'appareil du fournisseur

SP6

Type FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Fonctionnalité FET

Standard

Tension drain-source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

34A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

348 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

374nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

10300pF @ 25V

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