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APTM100A12STG

APTM100A12STG

MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Numéro d'article
APTM100A12STG
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Bulk
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
SP3
Puissance - Max
1250W
Package d'appareil du fournisseur
SP3
Type FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
68A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 34A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
616nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
17400pF @ 25V
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Coordonnées
Mots-clés de APTM100A12STG
APTM100A12STG Composants électroniques
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