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APTM10DHM05G

APTM10DHM05G

MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
Numéro d'article
APTM10DHM05G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Bulk
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
SP6
Puissance - Max
780W
Package d'appareil du fournisseur
SP6
Type FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
278A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 125A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
700nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
20000pF @ 25V
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Coordonnées
Mots-clés de APTM10DHM05G
APTM10DHM05G Composants électroniques
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