Acheter Microsemi Corporation APTM100H80FT1G MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

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APTM100H80FT1G

MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Numéro d'article

APTM100H80FT1G

Fabricant/Marque

Microsemi Corporation

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Bulk

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Colis/Caisse

SP1

Puissance - Max

208W

Package d'appareil du fournisseur

SP1

Type FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Fonctionnalité FET

Standard

Tension drain-source (Vdss)

1000V (1kV)

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

960 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3876pF @ 25V

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