Acheter Microsemi Corporation APT1001R1BN MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

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APT1001R1BN

MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

Numéro d'article

APT1001R1BN

Fabricant/Marque

Microsemi Corporation

Série

POWER MOS IV®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-247AD

Dissipation de puissance (maximum)

310W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.1 Ohm @ 5.25A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2950pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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