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VP2110K1-G

VP2110K1-G

MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3
Numéro d'article
VP2110K1-G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-236AB (SOT23)
Dissipation de puissance (maximum)
360mW (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
120mA (Tj)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
12 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de VP2110K1-G
VP2110K1-G Composants électroniques
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