Acheter Microchip Technology VP2110K1-G MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3

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VP2110K1-G

MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3

Numéro d'article

VP2110K1-G

Fabricant/Marque

Microchip Technology

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-236AB (SOT23)

Dissipation de puissance (maximum)

360mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

120mA (Tj)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

12 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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