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VP0106N3-G

MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3

Numéro d'article

VP0106N3-G

Fabricant/Marque

Microchip Technology

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Package d'appareil du fournisseur

TO-92-3

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

250mA (Tj)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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