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VN10KN3-G

MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3

Numéro d'article

VN10KN3-G

Fabricant/Marque

Microchip Technology

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Package d'appareil du fournisseur

TO-92-3

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

310mA (Tj)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Vgs (Max)

±30V

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