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SI2310-TP

SI2310-TP

N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Numéro d'article
SI2310-TP
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
SOT-23
Dissipation de puissance (maximum)
350mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
247pF @ 30V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de SI2310-TP
SI2310-TP Composants électroniques
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