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MCU80N06-TP

MCU80N06-TP

N-CHANNEL,MOSFETS,DPAK PACKAGE
Numéro d'article
MCU80N06-TP
Fabricant/Marque
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
D-Pak
Dissipation de puissance (maximum)
85W
Type FET
N-Channel
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
80A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 25V
Vgs (Max)
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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Mots-clés de MCU80N06-TP
MCU80N06-TP Composants électroniques
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