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MCMN2012-TP

MOSFET N-CH 20V 12A DFN202

Numéro d'article

MCMN2012-TP

Fabricant/Marque

Micro Commercial Co

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-WDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

DFN2020-6J

Dissipation de puissance (maximum)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 4V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±10V

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