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MA4AGBLP912

MA4AGBLP912

ALGAAS BEAM LEAD PIN DIODE
Numéro d'article
MA4AGBLP912
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tray
Température de fonctionnement
-65°C ~ 125°C (TJ)
Colis/Caisse
-
Package d'appareil du fournisseur
-
Courant - Max
40mA
Type de diode
PIN - Single
Tension - Inversion de crête (Max)
50V
Capacité @ Vr, F
0.03pF @ 5V, 1MHz
Résistance @ Si, F
4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz
Dissipation de puissance (maximum)
-
Citation requise
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Coordonnées
Mots-clés de MA4AGBLP912
MA4AGBLP912 Composants électroniques
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