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IXRFSM12N100

2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE

Numéro d'article

IXRFSM12N100

Fabricant/Marque

IXYS-RF

Série

SMPD

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

16-SMPD

Dissipation de puissance (maximum)

940W

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 6A, 15V

Vgs(e) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

77nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2875pF @ 800V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Vgs (Max)

±20V

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Coordonnées

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