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IXFN55N50F

MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

Numéro d'article

IXFN55N50F

Fabricant/Marque

IXYS-RF

Série

HiPerRF™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Colis/Caisse

SOT-227-4, miniBLOC

Package d'appareil du fournisseur

SOT-227B

Dissipation de puissance (maximum)

600W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

500V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

55A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6700pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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