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IXFN100N10S2

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Numéro d'article

IXFN100N10S2

Fabricant/Marque

IXYS

Série

HiPerFET™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Colis/Caisse

SOT-227-4, miniBLOC

Package d'appareil du fournisseur

SOT-227B

Dissipation de puissance (maximum)

360W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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