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IXTF1N400

IXTF1N400

MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4
Numéro d'article
IXTF1N400
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Package d'appareil du fournisseur
ISOPLUS i4-PAC™
Dissipation de puissance (maximum)
160W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
4000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
60 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2530pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IXTF1N400
IXTF1N400 Composants électroniques
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