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IXFZ140N25T
MOSFET N-CH 250V 100A DE475
Numéro d'article
IXFZ140N25T
Fabricant/Marque
Série
GigaMOS™ HiPerFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
DE475
Package d'appareil du fournisseur
DE475
Dissipation de puissance (maximum)
445W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
250V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
100A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
255nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
19000pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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