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IXFQ10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

Numéro d'article

IXFQ10N80P

Fabricant/Marque

IXYS

Série

HiPerFET™, PolarHT™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-3P-3, SC-65-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-3P

Dissipation de puissance (maximum)

300W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

800V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.1 Ohm @ 5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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