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IXFP5N100PM

MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220

Numéro d'article

IXFP5N100PM

Fabricant/Marque

IXYS

Série

HiPerFET™, PolarP2™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3 Isolated Tab

Package d'appareil du fournisseur

TO-220 Isolated Tab

Dissipation de puissance (maximum)

42W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.3A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.8 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

6V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

33.4nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1830pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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