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IXFP5N100PM

IXFP5N100PM

MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
Numéro d'article
IXFP5N100PM
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3 Isolated Tab
Package d'appareil du fournisseur
TO-220 Isolated Tab
Dissipation de puissance (maximum)
42W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.3A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33.4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1830pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Mots-clés de IXFP5N100PM
IXFP5N100PM Composants électroniques
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