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IXFN82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
Numéro d'article
IXFN82N60Q3
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Package d'appareil du fournisseur
SOT-227B
Dissipation de puissance (maximum)
960W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
66A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 41A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
275nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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