L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
IXFN210N20P
MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Numéro d'article
IXFN210N20P
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Package d'appareil du fournisseur
SOT-227B
Dissipation de puissance (maximum)
1070W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
188A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
255nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
18600pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 22612 PCS
Coordonnées
Produits connexes
Mots-clés de IXFN210N20P
IXFN210N20P Composants électroniques
IXFN210N20P Ventes
IXFN210N20P Fournisseur
IXFN210N20P Distributeur
IXFN210N20P Tableau de données
IXFN210N20P Photos
IXFN210N20P Prix
IXFN210N20P Offre
IXFN210N20P Prix le plus bas
IXFN210N20P Recherche
IXFN210N20P Achat
IXFN210N20P Chip