L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
IXFL32N120P
MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
Numéro d'article
IXFL32N120P
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
ISOPLUSi5-Pak™
Package d'appareil du fournisseur
ISOPLUSi5-Pak™
Dissipation de puissance (maximum)
520W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
24A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
340 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
360nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
21000pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 10704 PCS
Coordonnées
Produits connexes
Mots-clés de IXFL32N120P
IXFL32N120P Composants électroniques
IXFL32N120P Ventes
IXFL32N120P Fournisseur
IXFL32N120P Distributeur
IXFL32N120P Tableau de données
IXFL32N120P Photos
IXFL32N120P Prix
IXFL32N120P Offre
IXFL32N120P Prix le plus bas
IXFL32N120P Recherche
IXFL32N120P Achat
IXFL32N120P Chip