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IXFH18N100Q3

IXFH18N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Numéro d'article
IXFH18N100Q3
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247AD (IXFH)
Dissipation de puissance (maximum)
830W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
18A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4890pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de IXFH18N100Q3
IXFH18N100Q3 Composants électroniques
IXFH18N100Q3 Ventes
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IXFH18N100Q3 Distributeur
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