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IXFH10N100P

IXFH10N100P

MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
Numéro d'article
IXFH10N100P
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247AD (IXFH)
Dissipation de puissance (maximum)
380W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3030pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de IXFH10N100P
IXFH10N100P Composants électroniques
IXFH10N100P Ventes
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