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IXCY01N90E

MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252

Numéro d'article

IXCY01N90E

Fabricant/Marque

IXYS

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252

Dissipation de puissance (maximum)

40W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

900V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

250mA (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

80 Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 25µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

133pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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