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IRLHS6376TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

Numéro d'article

IRLHS6376TR2PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Digi-Reel®

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-VDFN Exposed Pad

Puissance - Max

1.5W

Package d'appareil du fournisseur

6-PQFN (2x2)

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.6A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

63 mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

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