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IRLH5030TRPBF

IRLH5030TRPBF

MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Numéro d'article
IRLH5030TRPBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerVDFN
Package d'appareil du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Dissipation de puissance (maximum)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
13A (Ta), 100A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
94nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5185pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±16V
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Mots-clés de IRLH5030TRPBF
IRLH5030TRPBF Composants électroniques
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