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IRLHS6342TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

Numéro d'article

IRLHS6342TR2PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

6-PQFN (2x2)

Dissipation de puissance (maximum)

2.1W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8.7A (Ta), 19A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1019pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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