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IRG7CH30K10EF
IGBT CHIP WAFER
Numéro d'article
IRG7CH30K10EF
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
-
Type d'entrée
Standard
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
Die
Puissance - Max
-
Package d'appareil du fournisseur
Die
Temps de récupération inversée (trr)
-
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
10A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)
1200V
Type IGBT
Trench
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.56V @ 15V, 10A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)
-
Changer d'énergie
-
Frais de porte
4.8nC
Td (marche/arrêt) à 25 °C
10ns/90ns
Condition de test
600V, 10A, 22 Ohm, 15V
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