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IRFHM831TRPBF

IRFHM831TRPBF

MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
Numéro d'article
IRFHM831TRPBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerTDFN
Package d'appareil du fournisseur
PQFN (3x3)
Dissipation de puissance (maximum)
2.5W (Ta), 27W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
14A (Ta), 40A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de IRFHM831TRPBF
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