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IRFH3702TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

Numéro d'article

IRFH3702TR2PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-PQFN (3x3)

Dissipation de puissance (maximum)

2.8W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

16A (Ta), 42A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

7.1 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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