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IRFH8337TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN

Numéro d'article

IRFH8337TR2PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

PQFN (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

3.2W (Ta), 27W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Ta), 35A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

12.8 mOhm @ 16.2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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