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IRFH5210TR2PBF

MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN

Numéro d'article

IRFH5210TR2PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

PQFN (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

3.6W (Ta), 104W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10A (Ta), 55A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

14.9 mOhm @ 33A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2570pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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