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IRFH4255DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

Numéro d'article

IRFH4255DTRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Puissance - Max

31W, 38W

Package d'appareil du fournisseur

PQFN (5x6)

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

64A, 105A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.2 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1314pF @ 13V

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