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IRF6729MTRPBF

IRF6729MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Numéro d'article
IRF6729MTRPBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
DirectFET™ Isometric MX
Package d'appareil du fournisseur
DIRECTFET™ MX
Dissipation de puissance (maximum)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
31A (Ta), 190A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.8 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6030pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de IRF6729MTRPBF
IRF6729MTRPBF Composants électroniques
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