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IRF60DM206

MOSFET N-CH 60V 130A

Numéro d'article

IRF60DM206

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

StrongIRFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric ME

Package d'appareil du fournisseur

DirectFET™ Isometric ME

Dissipation de puissance (maximum)

96W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

130A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.9 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.7V @ 150µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6530pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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