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IRF100P218XKMA1

TRENCH_MOSFETS

Numéro d'article

IRF100P218XKMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

StrongIRFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-247AC

Dissipation de puissance (maximum)

556W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.28 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.8V @ 278µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

555nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

25000pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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